GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法

中华人民共和国国家标准

ca/T6619一1995

硅片弯曲度测试方法

代替GB6619--a6

Testmethodsforbowofsiliconslices

第一篇方法A一一接触式测试方法

1主题内容与适用范围

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法

本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为200^-1000f.m的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用丁

测量其他半导体圆片弯曲度。

2方法原理

将硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一个基准平面，用低压力位移指示器测量硅片中心偏

离基准平面的距离，该距离表示硅片的弯曲度。

3测量仪器

I1基准环

基准环是由基座、3个支撑球、3个定位柱组成的专用器具，如图所示。

国家技术监督局1995一04一18批准1995一12-01实施

ca/T6619一1995

探头停放泣盈

接地线插孔

f.1片定位线

3个直径为7.工,mm的硬

丈质合金球Lk'2001477,

，、其中心距离的直位为丁

3个尼龙减震器以

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