GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法

ICS29.045

H80

中华人民共和国国彖标准

GB/T29507—2013

硅片平整度、厚度及总厚度变化测试

自动非接触扫描

Testmethodformeasuringflatness,thicknessandtotalthicknessvariation

onsiliconwafers—Automatednon-contactscanning

2013-05-09发布2014-02-01实施

GB/T29507—2013

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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。

本标准起草单位：上海合晶硅材料有限公司、有研半导体材料股份有限公司。

本标准主要起草人:徐新华、王珍、孙燕、曹孜。

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GB/T29507—2013

硅片平整度、厚度及总厚度变化测试

自动非接触扫描

1范围

本标准规定了直径不小于50mm,厚度不小于100的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面

状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。

本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不

受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

3.1GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

3.2硅片平整度参数的缩写及定义见表1。

表1硅片平整度参数的缩写及定义

测试基准面

缩写基准面测试参数

方基准面构成区域

GBIR

质量

(globalflatnessbacksidereferenceplane总的背表面理想背表面TIR

合格区

idealrange)

GF3R

(globalflatnessfrontsidereferenceplane总的止表面三点构成的基准面TIR

3pointsrange)

GF3D

(globalflatnessfrontsidereference3总的止表面三点构成的基准面FPD

pointsdeviation)

GFLR

质量

(globalflatnessfrontsidereferenceplane总的止表面最小二乘法构成的基准面TIR

合格区

least-squaresrange)

1

GB/T29507—2013

表1（续）

测试基准面

缩写基准面测试参数

方基准面构成区域

GFLD

质量

(globalflatnessfrontleastsquares总的止表面最小二乘法构成的基准面FPD

合格区

deviation)

SBIR

质量

(siteflatnessbacksidereferenceplane局部背表面理想背表面TIR

合格区

globalidealrange)

SBID

质量

(siteflatnessbacksidereferenceplane局部背表面理想背表面FPD

合格区

globalidealdeviation)

SF3R

(siteflatnessglobalfrontside局部止表面三点构成的基准面TIR

referenceplane3pointsrange)

SF3D

(siteflatnessglobalfrontside局部止表面三点构成的基准面FPD

referenceplane3pointsdeviation)

SFLR

质量

(siteflatnessglobalfrontsidereference局部止表面最小二乘法构成的基准面TIR

合格区

planeleastsquaresrange)

SFLD

质量

(siteflatnessglobalfrontsidereference局部止表面最小二乘法构成的基准面FPD