GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法

GB/T 14844-2018 Designations of semiconductor materials

国家标准中文简体现行页数：8页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 14844-2018

发布历史

1993年12月

GB/T 14844-1993　半导体材料牌号表示方法

被代替 1993-12-24
2018年12月

GB/T 14844-2018　半导体材料牌号表示方法

当前标准现行 2018-12-28

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研制信息

起草单位：: 浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司

起草人：: 楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、张雪囡、丁晓民、贺东江

出版信息：: 页数：8页 | 字数：16 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS29.045

H80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT148442018

代替/—

GBT148441993

半导体材料牌号表示方法

Desinationsofsemiconductormaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT148442018

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—

本标准代替GBT148441993半导体材料牌号表示方法与GBT148441993相比主要技术

变化如下:

———(,);

修改了范围中本标准适用性的描述见第章年版的第章

119931

———,,,

将原3.1.1中生产方法和用途分成两项并对牌号表示方法排序进行调整名称为第一项生

(,);

产方法为第二项见3.1.11993年版的3.1

———“”,“”、“”、“

删除了多晶生产方法中的铸造法增加了表示三氯氢硅法表示硅烷法流化床

TSF

”“”(,);

法和其他生产方法表示形式参照以上方法进行见3.1.31993年版的3.1.1

———“”“”,“”“

修改了表示块状为表示块状并增加了表示颗粒状和其他多晶形状表示形式

NCG

”(

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GB/T 14844-1993

GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法

被代替

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