GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14844-2018 Designations of semiconductor materials
国家标准
中文简体
现行
页数:8页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-11-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
发布历史
-
1993年12月
-
2018年12月
研制信息
- 起草单位:
- 浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 起草人:
- 楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、张雪囡、丁晓民、贺东江
- 出版信息:
- 页数:8页 | 字数:16 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT148442018
代替/—
GBT148441993
半导体材料牌号表示方法
Desinationsofsemiconductormaterials
g
2018-12-28发布2019-11-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT148442018
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
/—《》,/—
本标准代替GBT148441993半导体材料牌号表示方法与GBT148441993相比主要技术
变化如下:
———(,);
修改了范围中本标准适用性的描述见第章年版的第章
119931
———,,,
将原3.1.1中生产方法和用途分成两项并对牌号表示方法排序进行调整名称为第一项生
(,);
产方法为第二项见3.1.11993年版的3.1
———“”,“”、“”、“
删除了多晶生产方法中的铸造法增加了表示三氯氢硅法表示硅烷法流化床
TSF
”“”(,);
法和其他生产方法表示形式参照以上方法进行见3.1.31993年版的3.1.1
———“”“”,“”“
修改了表示块状为表示块状并增加了表示颗粒状和其他多晶形状表示形式
NCG
”(
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