GB/T 12962-2015 硅单晶

ICS29.045

H82OB

中华人民共和国国彖标准

GB/T12962—2015

代替GB/T12962—2005

硅单晶

Monocrystallinesilicon

2015-12-10发布2017-01-01实施

GB/T12962—2015

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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起。

本标准代替GB/T12962—2005《硅单晶》。本标准与GB/T12962—2005相比，主要变化如下：

——增加了直径小于或等于50.8mm直拉硅单晶及要求（见5.1.1）；

——增加了直径200mm区熔硅单晶及要求（见5.1.1）；

——增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求（见5.2.1）；

——修订了n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求（见5.2.1）；

增加了掺杂比为F5的中子嬉变掺杂硅单晶的要求（见5.2.1）；

—修订了掺杂比为的中子壇变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求

（见5.2.1）；

——修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求（见5.2.1）；

—“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容（见

5.8）；

取样由文字描述改为表6;

——增加了订货单内容（见第9章）o

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技

股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙

江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东

泰卓光电科技股份有限公司。

本标准主要起草人：孙燕、张果虎、张雪園、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、

杨素心、由佰玲、李丽妍。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB/T12962—1991、GB/T12962—1996,GB/T12962—2005o

T

GB/T12962—2015

硅单晶

1范围

本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书

和订货单（或合同）内容等。

本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嫗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm的

硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T1553硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法

GB/T11073--2007硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T12964硅单晶抛光片

GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

GB/T30453硅材料原生缺陷图谱

3术语和定义

GB/T14264和GB/T30453界定的术语和定义适用于本文件。

1

GB/T12962—2015

4牌号及分类

4.1牌号

硅单晶的牌号表示应符合GB/T14844的规定。

4.2分类

4.2.1硅单晶按生产丁-艺分为直拉硅单晶和区熔硅单晶两类，即直拉法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)：包括

中子嫗变掺杂(NTD)和气相掺杂(FGD)。

4.2.2硅单晶按导电类型分为p型、n型两种。

4.2.3硅单晶按结晶取向可分为〈100〉、〈111〉、〈110〉晶向，常用晶向为〈100〉或〈111〉。

4.2.4硅单晶按直径分为小于50.8mm、50.8mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm和200mm七种

标称直径规格和其他非标称直径规格。

5要求

5.1直径及允许偏差

5.1.1硅单晶的直径及允许偏差应符合表1的规定，超出表1所列的直径及允许偏差由供需双方协商

确定。

5.1.2未滚圆硅单晶的直径及允许偏差由供需双方协商确定。

表1硅单晶的直径及允许偏差单位为毫米

直径<50.850.876.2100125150200

硅单晶

允许偏差i0.5iO.5iO.5iO.3iO.3±0.3iO.3

注：硅单晶的直径及允许偏差均指加T-后的硅片标称尺寸。

5.2电阻率及载流子寿命

5.2.1直拉硅单晶的电阻率及载流子寿命

5.2.1.1直拉硅单晶的电阻率范围和径向电阻率变化应符合表2的规定。表2中未涉及的规格由供需

双方协商确定。

5.2.1.2直拉硅单晶的载流子寿命要求，由供需双方协商确定。

2

GB/T12962—2015

表2直拉硅单晶的电阻率及径向电阻率变化

导掺径向电阻率变化》/%

电杂电阻率范围“/

<50.8mm50.8mm76.2mm100mm125mm150mm200mm

类元(Q•cm)

<100>/<111><100>/<111><100>/<111><100>/<111><100>/<111><100>/<111><100>

型索

0.001〜0.1<8<8<8W6/W6<6/<9<5/<8<12

PB

>0.1〜60<8<8<8<8/<9<6/<9<5/<8<5

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