GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

/—

GBT129642018

代替/—

GBT129642003

硅单晶抛光片

Monocrstallinesiliconolishedwafers

yp

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT129642018

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—,

本标准代替GBT129642003硅单晶抛光片与GBT129642003相比除编辑性修改外主

要技术变化如下:

———,“

修订了适用范围将本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光

”“、()

片改为本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直径不大

。、、,

于200mm的硅单晶抛光片产品主要用于制作集成电路分立元件功率器件等或作为硅

”(,)。

外延片的衬底见第章年版的第章

120031

———,/、/、/、/、

修订了规范性引用文件删除了GBT1552GBT1554GBT1555GBT1558

/、/、/、/,增加了/、/、

GBT13387GBT13388GBT14140GBT14143GBT12965GBT19921

/、/、/、/、/、/(,

见第章

GBT24578GBT29507GBT32279GBT32280YST28YST67922003

年版的第章)。

2

———,“/”(

删除了原标准中的具体术语内容改为GBT14264界定的术语及定义适用于本文件见

第章,年版的第章)。

320033

———。“()()”,

修订了硅抛光片的分类删除了按硅单晶生长方法分为直拉CZ和悬浮区熔FZ增加了

“{}、{}、{}”(,