GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

GB/T 24578-2015 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替,建议下载标准 GB/T 24578-2024 | 页数:16页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 24578-2015
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2015-12-10
实施日期
2017-01-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本标准同样适用于其他半导体材料如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
1.2 对良好的镜面抛光表面可探测深度约5nm分析深度随表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
1.4 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数无干扰检测限是元素原子序数的函数其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。
1.5 本方法是非破坏性的是对其他测试方法的补充与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。

研制信息

起草单位:
有研新材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心
起草人:
孙燕、李俊峰、楼春兰、潘紫龙、朱兴萍
出版信息:
页数:16页 | 字数:23 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS77.040

H17

中华人民共和国国家标准

/—

GBT245782015

代替/—

GBT245782009

硅片表面金属沾污的全反射

X光荧光光谱测试方法

Testmethodformeasurinsurfacemetalcontaminationonsiliconwafers

g

btotalreflectionX-Rafluorescencesectrosco

yyppy

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT245782015

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

本标准代替/—《硅片表面金属沾污的全反射光荧光光谱测试方法》。

GBT245782009X

/—,:

本标准与GBT245782009相比主要变化如下

———,、,、、

扩大了标准

定制服务