GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T 19921-2018 Test method for particles on polished silicon wafer surfaces

国家标准 中文简体 现行 页数:29页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 19921-2018
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试,对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm~11 nm线宽工艺用硅片,本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类,也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类,对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注:本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。

发布历史

研制信息

起草单位:
有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司
起草人:
孙燕、刘卓、冯泉林、徐新华、张海英、骆红、刘义、杨素心、张雪囡
出版信息:
页数:29页 | 字数:50 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS77.040

H21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT199212018

代替/—

GBT199212005

硅抛光片表面颗粒测试方法

Testmethodforarticlesonolishedsiliconwafersurfaces

pp

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT199212018

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4方法提要…………………4

5干扰因素…………………5

6设备………………………7

7测试环境…………………7

8参考样片…………………8

9校准………………………8

10测试步骤…………………9

11精密度……………………9

12试验报告…………………9

()…

附录规范性附录针对线宽技术用硅片的扫描表面检查系统的要求指南

A130nm~11nm11

()……………

附录规范性附录测定扫描表面检查系统坐标不确定性的方法

BXY18

()………

附录规范性附录采用覆盖法确定扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测试方法

C20

/—

GBT199212018

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—,

本标准代替GBT199212005硅抛光片表面颗粒测试方法与GBT199212005相比除编

辑性修改外主要技术变化如下:

———(,)。

修改了适用范围见第章年版第章

120051

———、,

规范性引用文件中删除了和增加了

ASTMF1620-1996ASTMF1621-1996SEMIM1-0302

/、/、/、/、/、/、

GBT6624GBT12964GBT12965GBT14264GBT25915.1GBT29506SEMI

、、(,)。

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