GB/T 14139-1993 硅外延片

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中华人民共和国国家标准

Gs/T14139一93

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硅2.延片

Siliconepitaxialwafers

1993一02一06发布1993一10一01实施

国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准

GB/T14139一93

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

主题内容与适用范围

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方一法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。

本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层(N/N`，和在P型硅抛光片衬底上生长

的P型外延层(P/PI)的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件‘

弓1用标准

GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)

GB6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB12962硅单晶

GB12964硅单晶抛光片

GB/T13389掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程

GB/T14142硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法

GB/T14145硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法

GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法

GB/T14264半导体材料术语

YS/T23硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

YS,"T24外延钉缺陷的检测方法

YS/T28硅片包装

产品分类

3-，导电类刑

产品按导电类型分为N型和P型.

3-2规格

产品按直径尺寸分为(50.8mm,76.2mm,80mm,90mm和100mm,

3.3外延片晶向

产品按晶向分为<111>,<100>等。

3.4产品牌号

产品牌号表示为:

国家技术监.局1993一02一06批准1993一10一01实施

GB/T14139一93

MSi一XXEW<XXX>OXX

丁可

直径尺寸

晶向

外延片

导电类型、结构

硅·单晶材料

示例:MSi-N/N十一EW<111>价76.2表示N/N'结构<111>晶向直径为76.2mm的硅外延层。

技术要求

外延片衬底参数

硅单晶衬底的电阻率应符合表1的规定，其他各项参数应符合GB12962的规定。

表1硅单晶衬底的电阻率

电阻率，n·cm

导电类型掺杂元素硅单晶直径,mm

不大于

镇50.80.012

Sb76.20.015

80,