GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14142-2017 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。
发布历史
-
1993年02月
-
2017年11月
研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
- 起草人：
- 马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H25
中华人民共和国国家标准
/—
GBT141422017
代替/—
GBT141421993
硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
Testmethodforcrstallorahicerfectionofeitaxiallaersinsilicon—
ygpppy
Etchintechniue
gq
2017-09-29发布2018-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT141422017
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准代替/—《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》。
GBT141421993
/—,:
本标准与GBT141421993相比主要技术变化如下
———(,);
修订了方法提要见第章
定制服务
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