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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

GB/T 14142-2017 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

国家标准 中文简体 现行 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 14142-2017
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H25 金属化学性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。

发布历史

文前页预览

GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法-第1页
GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法-第2页
GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法-第3页

研制信息

起草单位：
南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
起草人：
马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英
出版信息：
页数：7页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

H25

中华人民共和国国家标准

/—

GBT141422017

代替/—

GBT141421993

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

Testmethodforcrstallorahicerfectionofeitaxiallaersinsilicon—

ygpppy

Etchintechniue

gq

2017-09-29发布2018-04-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT141422017

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

本标准代替/—《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》。

GBT141421993

/—,:

本标准与GBT141421993相比主要技术变化如下

———(,);

修订了方法提要见第章

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    GB/T 14264
    GB/T 14264-2024 半导体材料术语
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    现行
    替代以下标准
    GB/T 14142-1993
    GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
    被代替

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