GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱
GB/T 30453-2013 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
国家标准
中文简体
现行
页数：83页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2013-12-31
实施日期
2014-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。
发布历史
-
2013年12月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所
- 起草人：
- 孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云霞、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊
- 出版信息：
- 页数：83页 | 字数：151 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT304532013
硅材料原生缺陷图谱
Metallorahscollectionfororiinaldefectsofcrstallinesilicon
gpgy
2013-12-31发布2014-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT304532013
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4硅多晶结构的不完整性…………………1
5硅单晶晶体缺陷…………………………4
6硅片加工缺陷……………9
7硅外延片缺陷…………………………11
()………………………
附录资料性附录氢致缺陷图
A
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