GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
GB/T 14146-2021 Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
国家标准
中文简体
现行
页数：13页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
发布历史
-
1993年02月
-
2009年10月
-
2021年05月
研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、无锡华润上华科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司
- 起草人：
- 骆红、潘文宾、杨素心、赵扬、赵而敬、张佳磊、李慎重、黄黎、严琴、黄宇程、皮坤林
- 出版信息：
- 页数：13页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT141462021
代替/—
GBT141462009
硅外延层载流子浓度的测试
电容电压法
-
—
Testmethodforcarrierconcentrationofsiliconeitaxiallaers
py
Caacitance-voltaemethod
pg
2021-05-21发布2021-12-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT141462021
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/—《—》,
本文件代替GBT141462009硅外延层载流子浓度测定汞探针电容电压法与
/—,,:
GBT141462009相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
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更改了本文件的范围包括规定的内容和适用范围见第章年版的第章
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b删除了规范性引用文件中的GBT1552增加了GBT1551GBT6624GBT14264见第2
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增加了术语和定义见第章
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更改了试验条件的要求见第章年版的
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