GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T14847—2025

代替GB/T14847—2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试

红外反射法

Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydoped

siliconsubstrates—Infraredreflectancemethod

2025-10-31发布2026-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T14847—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法与

GB/T14847—2010《》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T14847—2010,,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20101);

更改了方法原理见第章年版的第章

b)(4,20104);

更改了干扰因素见第章年版的第章

c)(5,20105);

增加了试验条件见第章

d)(6);

更改了仪器设备见第章年版的第章

e)(7,20106);

更改了样品见第章年版的第章

f)(8,20107);

更改了试验步骤见第章年版的第章

g)(9,20108);

更改了试验数据处理见第章年版的第章

h)(10,20109);

更改了精密度见第章年版的第章

i)(11,201010);

更改了试验报告见第章年版的第章

j)(12,201011)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位浙江金瑞泓科技股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司南京盛

:、、

鑫半导体材料有限公司中电晶华天津半导体材料有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司

、()、、

西安龙威半导体有限公司浙江大学麦斯克电子材料股份有限公司布鲁克北京科技有限公司珀金

、、、()、

埃尔默企业管理上海有限公司赛默飞世尔科技中国有限公司上海优睿谱半导体设备有限公司

()、()、、

青海沅平新能源科技有限公司

。

本文件主要起草人李慎重张海英李素青许峰梁兴勃蒋玉龙葛华李明达张宏浩马林宝

:、、、、、、、、、、

马向阳刘丽娟贺东江赵跃方伟宇李云鹏庄育军韩云霄雷浩东袁文战

、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

1993,2010,。

Ⅰ

GB/T14847—2025

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试

红外反射法

1范围

本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法

。

本文件适用于电阻率为的衬底上制备的厚度大于的硅外延

0.0006Ω·cm~0.025Ω·cm0.5μm

层厚度的测试

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

测量方法与结果的准确度正确度与精密度第部分确定标准测量方

GB/T6379.2—2004()2:

法重复性与再现性的基本方法

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

折射率refractivity

入射角的正弦相对折射角的正弦的比率

。

注入射角和折射角是指表面法线和红外光束的夹角对电阻率大于硅材料当波长范围为

:。0.1Ω·cm,6μm~

时相对空气的该比值为该值由斯涅尔定律求出

40μm,3.42,(Snell)。

4方法原理

红外入射光接触外延层表面后穿透外延层到达衬底在外延层的上下界面分别发生反射和折

,,

射总反射光是这两部分反射光的叠加因为光的波动性这两部分反射光的相位可能干涉相长或干涉

,。,

相消而相位关系取决于这两部分的光程差光程差是由外延层厚度外延层与衬底光学常数光的波

,。、、

长红外光在外延层上的入射角和外延层折射率决定的

、。

当光程差等于半波长的偶数倍时两组反射光相位相同则干涉相长即呈现反射光谱的极大值波

,,,

峰位置相反光程差是半波长的奇数倍时两组反射光相位相反则干涉相消即呈现反射光谱的极小

;,,,,

值波谷位置

。

干涉图谱被仪器探测器记录并转化为反射光谱样品反射光谱中出现连续极大极小干涉条纹特征

,

谱现象根据反射光谱中干涉条纹的极值波数外延层与衬底光学常数和红外光束在样品上的入射

,、

角即可计算出外延层厚度

,。

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