GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

lCS29．045

H80

a雪

中华人民共和国国家标准

14146—2009

CB／T

14146—1993

代替GB／T

硅外延层载流子浓度测定

汞探针电容一电压法

Siliconof

epitaxiallayers—determination

carriermethod

concentration--mercuryvoltages。。capacitance

probe

2009—10-30发布

宰瞀鳃鬻瓣警雠瞥星发布中国国家标准化管理委员会“”。

14146—2009

GB／T

刖昌

本标准代替GB／T14146--1993{硅外延载流子浓度测定汞探针电容一电压法》。

本标准与GB／T

14146—1993相比，主要有如下变动：

——测量范围由原1013

度的测试要求和抛光片的测试适用性；

——增加了引用标准；

——增加了干扰因素；

——试剂中氢氟酸(p1．15g／mL)，增加双氧水(分析

g／mL)改为氢氟酸(分析纯)，删除硝酸(p1．4

纯)，去离子水电阻率由大于2M12-cm改为大于10M12·am；

——对“测量仪器及环境”，“样品处理”，“仪器校准”，“测量步骤”的内容进行了全面修改；

——删除“测量结果的计算”；

——增加了重复性和再现性；

——增加了附录“硅片接触良好测试”的判定指标。

本标准的附录A为规范性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量

监督检验中心。

本标准主要起草人：马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB／T14146--1993。

14146—2009

GB／T

硅外延层载流子浓度测定

汞探针电容一电压法

1范围

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容一电压测量方法。

本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10”cm_3～8×10“cm。

本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。

本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB／T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB／T

1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB／T

14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

3方法原理

汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒。在汞探针与硅外延片之间加一反向偏压，结的

其相应的载流子浓度[N(z)]有如式(1)和式(2)关系：