GB/T 14139-2019 硅外延片

GB/T 14139-2019 Silicon epitaxial wafers

国家标准 中文简体 现行 页数:10页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 14139-2019
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2019-06-04
实施日期
2020-05-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

发布历史

研制信息

起草单位:
浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司
起草人:
张海英、李慎重、蒋玉龙、骆红、胡金枝、卢立延、李素青
出版信息:
页数:10页 | 字数:18 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

/—

GBT141392019

代替/—

GBT141392009

硅外延片

Siliconeitaxialwafers

p

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT141392019

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》。/—,

本标准代替GBT141392009硅外延片本标准与GBT141392009相比除编辑性修改外

主要技术变化如下:

+

———,“(/)

修改了适用范围将本标准适用于在型硅抛光片衬底上生长的型外延层和在

NnNNp

+

(/)。

型硅抛光片衬底上生长的型外延层的同质硅外延片产品主要用于制作硅半导体

PPP

。。”“

器件其他类型的硅外延片可参照适用改为本标准适用于在直径不大于的型

150mmN

”(,)。

和型硅抛光片衬底上生长的硅外延片见第章年版的第章

P120091

———规范性引用文件中删除了/、/、/,增加了/、

GBT12962GBT14145YST24GBT1550

/、/、/、/、/、(,

见第章

GBT1555GBT14844GBT19921GBT24578YST28SEMIM8522009

年版的第章)。

2

———“”()。

增加了术语和定义见第章

3

———,(,

将产品的牌号和分类单列一章并修订了牌号表示方法和外延层的晶向见第章年版

42009

的3.1)。

———(,)。

修订了外延片用衬底材料的要求见5.12009年版的3.2

———、、、(、、、、

增加了外延层的导电类型晶向的要求试验方法检验规则等见第

5.2.15.2.26.16.27

章)。

———,、

外延层电阻率由中心电阻率修订为平均电阻率并修订了电阻率电阻率允许偏差及径向电阻

(,)。

率变化的要求见5.2.32009年版的3.3

———,、

外延层厚度由中心厚度修订为平均厚度并修订了厚度厚度允许偏差及径向厚度变化的要求

(,)。

见5.2.42009年版的3.4

———、、(、、

增加了外延层纵向电阻率分布及过渡区宽度的要求试验方法检验规则等见第

5.2.56.57

章)。

2-2

———,“/”“”(,

修改了外延层位错密度的要求由不大于个修订为应不大于见

500cm50cm5.2.6

2009年版的3.5.1)。

———、(、、)。

增加了表面金属的要求试验方法及检验规则见第章

5.2.76.77

———()。

删除了大点缺陷的要求见2009年版的3.6.1

———“,

删除了表面缺陷区域系指直径不大于76.2mm的硅外延片去除边缘2mm环形区域直径

、”(

和硅外延片去除边缘环形区域的整个表面见年版的

100mm125mm150mm3mm2009

3.6.2)。

———“/、、、、。

删除了表面点状缺陷包括符合GBT14264的钉粘附的颗粒突起物夹杂小丘和棱锥

”()。

使用清洗技术能除去的颗粒不属于点状缺陷见2009年版的3.6.3

———“。

删除了崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0.3mm的损伤最大崩边径向深度不

,”()。

大于0.5mm累计崩边最大周边长不大于2.5mm见2009年版的3.6.4

———“/”()。

删除了雾的定义见见年版的

GBT1426420093.6.5

———“、、、”()。

删除了沾污包括色斑手套印尘埃污迹和溶剂残留物见2009年版的3.6.6

———、(、)。

增加了组批检验项目的要求见7.27.3

———(,)。

修改了包装要求见8.1.12009年版的6.1.1

/—

GBT141392019

———()()。

增加了订货单或合同内容见第章

9

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本标准起草单位浙江金瑞泓科技股份有限公司南京国盛电子有限公司上海合晶硅材料有限公

、、。

司有色金属技术经济研究院有研半导体材料有限公司

:、、、、、、。

本标准主要起草人张海英李慎重蒋玉龙骆红胡金枝卢立延李素青

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

———/—、/—。

GBT141391993GBT141392009

/—

GBT141392019

硅外延片

1范围

、、、、、、、、

本标准规定了硅外延片的牌号和分类要求试验方法检验规则标志包装运输贮存质量证明

()。

书和订货单或合同内容

本标准适

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