GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

中华人民共和国国家标准

硅片电阻率测定扩展电阻探针法(;B/T6617一1995

代替6s1;as

Testmethodformeasuringresistivityofsilicon

wafersusingspreadingresistanceprobe

1主题内容与适用范围

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测tit方法

本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同塑或反塑的硅外延层

的电阻率。测量范围:10-'-10'fl"cm

2引用标准

GB1550硅单晶导电类型测定方法

GB/T1552硅、锗单晶电阻率直排四探针测量方法

GB1555硅单晶晶向光图测量方法

GB1556硅单晶晶向X光衍射测量方法

GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

YS/T巧硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法

3方法提要

扩展电阻法是一种实验比较法。该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻再用校准曲线来确

定被测试样在探针接触点附近的电阻率扩展电阻R，是导电金属探针与硅片上一个参考点之问的电势

降与流过探针的电流之比

4测量装置

4.1机械装置

41.，探针架:可采用单探针、两探针和三探针结构.探针一架用作支承探针，使其以重复的速度和预定

的压力将探针尖下降至试样表面，并可调节探针的接触点位置

4.1.2探针尖采用坚硬耐磨的良好导电材料如饿、碳化钨或钨一钉合金等制成。针尖曲率平径不大于

25Fm,夹角为30'-60'针距为15-1000，，。

4，门.3样品台:绝缘真空吸盘或其他能将硅片固定的装In.能在互相垂直的两个方向上实现

5^500pm步距的位移

4.1.4绝缘性，探针之间及任一探针与机座之问的直流绝缘电阻大于1GS1

4,2电学测量装置

可采用恒压法、恒流法和对数比较器法，其电路图见图1,图2和图3

国家技术监督局1995一04-18批准199512-0，实施

GB/'r6617一1995

电I卜淡中流w‘1试义‘

试样

大面积背面电极、入‘千下

(a)单探针装置(b、两探针装胃

图1恒压法电路

试样

电II::测试仪电流源

大面积背面电极

(a)单探针装置

试样