GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 6617-2009
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。
发布历史
-
1995年04月
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
- 起草人：
- 马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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