1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 国家级标准 >
  4. GB/T 6617-2009

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

国家标准 中文简体 现行 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 6617-2009
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。

发布历史

文前页预览

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法-第1页
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法-第2页
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法-第3页

研制信息

起草单位：
南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人：
马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
出版信息：
页数：7页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

内容描述

暂无内容

定制服务

    推荐标准

    关联标准

    引用标准
    GB/T 1550
    GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
    现行
    GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
    被代替
    GB/T 1552
    GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
    被代替
    GB/T 1555
    GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
    现行
    GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
    被代替
    GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
    被代替
    GB/T 14847
    GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
    现行
    GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
    被代替
    GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
    被代替
    替代以下标准
    GB/T 6617-1995
    GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
    被代替

    相似标准推荐

    更多>