GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
国家标准
中文简体
现行
页数：28页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 13389-2014
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
发布历史
-
1992年02月
-
2014年12月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
- 起草人：
- 孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社
- 出版信息：
- 页数：28页 | 字数：49 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT133892014
代替/—
GBT133891992
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
Practiceforconversionbetweenresistivitanddoantdensitforboron-doed,
ypyp
,
hoshorus-doedandarsenic-doedsilicon
pppp
2014-12-31发布2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT133892014
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
/—《》,
本标准代替GBT133891992掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程参照SEMI
《》/—。
MF723-0307掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程对GBT133891992进行修订
/—,:
本标准与GBT133891992相比主要有以下变化
———()、()、(),、
增加了公式567即砷的掺杂剂浓度换算电阻率掺硼硅单晶电阻率换算空穴浓度和
掺磷硅单晶电阻率换算电子浓度的公式以及相应的适用范围;
———,
由于所有公式都是经验公式或是试验结果因此本标准中给出了公式的试验依据以便于使用
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