GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
GB/T 1553-2023 Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method
国家标准
中文简体
现行
页数：27页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。
发布历史
-
1997年06月
-
2009年10月
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、亚州硅业(青海)股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司
- 起草人：
- 孙燕、宁永铎、李素青、朱晓彤、贺东江、王昕、薛心禄、徐岩、潘金平、严大洲、王彬、蔡云鹏、田新、赵培芝、冉胜国、韩成福、普世坤、蔡丽艳、高源、赵晶、崔丁方
- 出版信息：
- 页数：27页 | 字数：46 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT15532023
代替/—
GBT15532009
硅和锗体内少数载流子寿命的测定
光电导衰减法
Testmethodsforminoritcarrierlifetimeinbulksiliconandermanium—
yg
Photoconductivitdecamethod
yy
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT15532023
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/—《》,/—
本文件代替GBT15532009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法与GBT1553
,,:
2009相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
)(,);
更改了范围见第章年版的第章
a120091
)、、、(
b增加了术语和定义中直观寿命少数载流子寿命载流子复合寿命注入水平的定义见第3
),(),(,
章删除了表观寿命的定义见2009年版的3.1更改了体寿命的定义见3.22009年版的
3.2);
)、、、、、
c更改了干扰因素中陷阱效应光生伏特效应温度电导率调幅效应扫出效应光源的波长和
、(、、、,、、、、、、
关断特性滤光片的影响见4.14.44.54.10~4.132009年版的5.15.45.75.35.65.5
),、、、、、、
5.9增加了注入比电阻率样品表面样品尺寸载流子浓度变化加水的影响不同寿命测
(、、、、);
试方法间的关系见4.24.34.74.84.14~4.16
)(,);
更改了方法原理见年版的第章
d5.12009
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