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GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法

GB/T 1553-2009 Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 1553-2023 | 页数：14页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 1553-2009
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
1.1本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。

发布历史

文前页预览

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法-第1页
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法-第2页
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法-第3页
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法-第4页

研制信息

起草单位：
峨嵋半导体材料厂
起草人：
江莉、杨旭
出版信息：
页数：14页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS29.045

H80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT15532009

代替/—

GBT15531997

硅和锗体内少数载流子寿命测定

光电导衰减法

Testmethodsforminoritcarrierlifetimeinbulkermanium

yg

andsiliconbmeasurementofhotoconductivitdeca

ypyy

2009-10-30发布2010-06-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅和锗体内少数载流子寿命测定

光电导衰减法

／—

ＧＢＴ１５５３２００９

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街号

１６

邮政编码：

１０００４５

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    被代替
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    GB/T 1553-1997
    GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
    被代替
    被以下标准替代
    GB/T 1553-2023
    GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
    现行

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