GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T 1557-2018 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

国家标准 中文简体 现行 页数:10页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 1557-2018
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-06-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时,氧含量(原子数)测试范围从1×1016 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度;以低温红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

研制信息

起草单位:
新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司
起草人:
银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰
出版信息:
页数:10页 | 字数:18 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS77.040

H17

国;

中华人民共和国国家标准

GB/T1557-2018

代替GB/T15572006

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

Testmethodfordetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfrared

absorption

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局峪非

中国国家标准化管理委员会0(..'I(J

GB/T1557-2018

目u昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T1557-2006《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》,与GB/T1557-2006

相比,除编辑性修改外主要技术变化如下:

范围中增加了“以低调红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015cm-3到硅中

间隙氧的最大同溶度”(见第1章)。

一一一在规范性引用文件中增加了GB/T4059、GB/T4060、GB/T29057、GB/T35306(见第2章)。

一一在方法提要中增加了低泪红外光谱仪的测试原理,井明确“低祖傅里叶变换红外光谱仪测试硅

单晶中氧含量的具体内容见GB/T35306”(见第4章)。

在干扰因素中增加了多品、测试环境、样品位置、洲民设备对测试结果的影响(见5.1、5.8、5.9、

5.10)。

一一将扣除参比光谱后样品的透射光谱在1600cm1处的透射率由"100%土0.5%”改为“100%土

5%”(见5.4,2006年版5.3)。

一一删除了沉淀氧浓度较高时,1230cm1处的吸收谱带对测试结果的影响(见2006年,版5.5)。

一一将"6.3千分尺”修改为“6.3厚度测量设备”,修改设备精度大于0.01mm(见6.3,2006年版

6.3)。

一一将“6.4热电偶-毫伏计”修改为“6.4温度测量设备热电偶-毫伏计或其他适用于测试样品

室温度的设备”(见6.4,2006年版6.的。

一一一增加"6.5温度测试设备湿度计或其他适用于测试环境温度的设备”(见6.5)。

一一将设备检查中的抛光片厚度FR0.065cm改为0.085cm(见8.2.5,2006年版8.2.5)。

一一-将“表面处理”修改为“在测试之前,应保证样品表面兀氧化物”,删除了“用HF腐蚀去|结表面

的氧化物”(见8.3,2006年版8.3)。

一一将“厚度测量”修改为“测量被视rj样品和参比样品的厚度。两者中心的厚度差应小于土0.5%”

(见8.4,2006年版8.的。

一一将绘制透射谱罔列为资料性附录(见附录A,2006年版8.7)。

一一根据试验情况,修改了精密度(见第10章,2006年版第11章)。

本标准由全同半导体设备和l材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全同半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提州井归口。

本标准起草单位:新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜

同南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨崛半导体材料

研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司。

本标准主要起草人:银波、夏进京、邱艳梅、刘同霞、柴欢、赵品品、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、

高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰。

本标准代替了GB/T15572006。

GB/T1557-2006历次版本发布情况为:

一一-GB/T1557-1989、GB/T14143-1993。

I

GB/T1557-2018

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

1范围

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。

本标准适用于室源电阻率大于0.1D•cm的N型硅单品和室温电阻率大于0.5D•cm的P型硅

单品中间隙氧含量的测定。以常跟红外设备测试时,氧含量(原子数)测试范围从1×1016cm-3到硅中

间隙氧的最大同榕度;以低泪t红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015cm3到硅中间

隙氧的最大固溶度。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。儿是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4060硅多品真空区熔基础l检验方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T29057用区熔拉品法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T35306硅单品中碳、氧含量的测定低混傅立叶变换红外光谱法

ASTME131分子光谱有关术语(Standardterminologyrelatingtomolecularspectroscopy)

3术语和定义

GB/T14264和ASTMEl31界定的以及下列术悟和定义适用于本文件。

3.1

色散型红外光谱仪dispersiveinfraredspectrophotometer

一种使用棱镜或光栅作为色散元件,通过振幅波数(或波长)光谱罔获取数据的红外光谱仪。

3.2

傅里叶变换红外光谱仪Fouriertransforminfraredspectrophotometer

一种通过傅里叶变换将Fl,干涉仪得到的干涉谱罔转换为振幅一波数(或波长)光谱罔来获取数据的

红外光谱仪。

3.3

参比光i普referencespectrum

参比样品的光谱。

注:在用双光乡R3'Gt曾仪测试时,可以通过直按将参比样品放入样品光路,让参比光路空着获得;在用单光束)'(;i着仪

测试时,可以通过向红外先路巾获得的参比样品的)'Gi普扣除背最光话后计算获得。

3.4

样品光i昔samplespectrum

测试样品的光谱。

注:在用双光JIU'G谱仪测试时,可以通过直按将测试样品放入样品光路,让参比光路空着获得;在用单光点)'(;i苦仪

测试时,将自测试样品放入红外)'(;路获得的)'(;l者扣除背景)'(;话后计算获得。

GB/T1557-2018

4方法提要

使用经过校准的红外光谱仪和适当的参比材料,通过

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