GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29057-2012 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2012-12-31
实施日期
2013-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
[STFZ]2.1[ST]本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST] 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
[STFZ]2.2[ST]本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST] 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
发布历史
-
2012年12月
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司
- 起草人：
- 梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬
- 出版信息：
- 页数：15页 | 字数：28 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT290572012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价
多晶硅棒的规程
Practiceforevaluationofolocrstallinesiliconrodsbfloat-zone
pyy
crstalrowthandsectrosco
ygppy
(,)
SEMIMF1723-1104MOD
2012-12-31发布2013-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT290572012
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准修改采用国际标准SEMIMF1723-1104《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规
》。,。
程为方便比较资料性附录中列出了本标准章条和对应的国际标准章条的对照一览表
A
。
本标准在采用SEMIMF1723-1104时进行了修改这些技术差异用垂直单线标识在它们所涉及
。:
的条款的页边空白处主要技术差异如下
———“”,,
在规范性引用文件中凡我国已有国家标准的均用相应的国家标准代替SEMIMF1723-
“”。
1104中的引用文件
———增加规范性引用文件/《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。
GBT1553
———“……”“……”。
将中中规定的级改为中规定的级
6.2ISO14644-1ISO5GB500735
———“……”“……”。
将中中规定的级改为中规定的级
7.2.1ISO14644-1ISO6GB500736
———“……”“……”。
将
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