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GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法

GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 24581-2022 | 页数：9页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 24581-2009
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。

发布历史

文前页预览

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法-第1页
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法-第2页
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法-第3页

研制信息

起草单位：
四川新光硅业科技有限责任公司
起草人：
梁洪、过惠芬、吴道荣
出版信息：
页数：9页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开

内容描述

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

／—

犌犅犜２４５８１２００９

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中

、族杂质含量的测试方法

ⅢⅤ

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犾狅狑狋犲犿犲狉犪狋狌狉犲犉犜犐犚

狆

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狔犵狔ⅢⅤ狆

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

／—

犌犅犜２４５８１２００９

前言

本标准等同采用ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含

ⅢⅤ

量的测试方法》。

本标准与ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４相比，主要有如下变化：

———用实际测量到的红外谱图代替标准中的图、图。

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    被代替
    被以下标准替代
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    GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
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