GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
基本信息
标准号
GB/T 24581-2009
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。
发布历史
-
2009年10月
-
2022年03月
研制信息
- 起草单位：
- 四川新光硅业科技有限责任公司
- 起草人：
- 梁洪、过惠芬、吴道荣
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛２９．０４５
犎８０
中华人民共和国国家标准
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低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中
、族杂质含量的测试方法
ⅢⅤ
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２００９１０３０发布２０１００６０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜２４５８１２００９
前言
本标准等同采用ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含
ⅢⅤ
量的测试方法》。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ１６３００７０４相比，主要有如下变化：
———用实际测量到的红外谱图代替标准中的图、图。
定制服务
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