GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
GB/T 24581-2022 Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
国家标准
中文简体
现行
页数:9页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2022-03-09
实施日期
2022-10-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和 磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×10 10 cm -3~4.1×10 14 cm -3
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和 磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×10 10 cm -3~4.1×10 14 cm -3
发布历史
-
2009年10月
-
2022年03月
研制信息
- 起草单位:
- 乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司
- 起草人:
- 梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林
- 出版信息:
- 页数:9页 | 字数:20 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH17
中华人民共和国国家标准
/—
GBT245812022
代替/—
GBT245812009
硅单晶中、族杂质含量的测定
ⅢⅤ
低温傅立叶变换红外光谱法
TestmethodforⅢandⅤimuritiescontentinsinlecrstalsilicon—
pgy
LowtemeratureFT-IRanalsismethod
py
2022-03-09发布2022-10-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT245812022
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
本文件代替/—《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含量的测
GBT245812009ⅢⅤ
》,/—,,:
试方法与GBT245812009相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
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删除了目的见年版的第章
a20091
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b更改了硼B磷P砷As铝Al锑Sb镓Ga的测定范围并增加了铟In含量的测
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定见第章年版的第章
120092
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更改了术语和定义见第章年版的第章
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d增加了杂质含量小于5.0×10cm的样品的测量条件见5.6
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增加了用次强吸收谱带来计算磷元素的含量见
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