GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24574-2009 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
国家标准
中文简体
现行
页数：11页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 24574-2009
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。
发布历史
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位：
- 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 起草人：
- 李静、何秀坤、蔺娴
- 出版信息：
- 页数：11页 | 字数：18 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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