GB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法

ICS77.040

H17OB

中华人民共和国国家标准

GB/T4060—2018

代替GB/T4060—2007

硅多晶真空区熔基硼检验方法

Testmethodforboroncontentinpolycrystallinesiliconbyvacuum

zone-meltingmethod

2018-09-17发布2019-06-01实施

发布

GB/T4060—2018

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本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T4060—2007（（硅多晶真空区熔基硼检验方法》，与GB/T4060—2007相比，除编

辑性修改外主要技术变化如下：

——增加了规范性引用文件GB/T620—2011.GB/T626—2006,GB/T11446.1—2013,GB/T25915.1-

2010（见第2章）；

-修改了方法提要,将“以1.0mm/min的速度区熔提纯14次成晶后”改为“以不高于1.0mm/min

的速度多次区熔提纯后”（见第4章,2007年版的第4章）；

-在干扰因素中增加了“酸洗用的器皿、酸液和去离子水纯度、腐蚀速度、腐蚀温度、样品暴露时

间都可能带来沾污，应加以控制”（见5.4）；

——删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求、测试环境（见2007年版的5.6.5.7）；

-在试剂和材料中“P型电阻率不低于3000Q•cm的籽晶”修改为“籽晶应为无位错的P型

<111>高阻硅单晶，且受主杂质含量（原子数）小于2.5X10'2cm-\碳含量（原子数）小于

5X10"cm-3.晶向偏离度小于5°”（见6.4,2007年版的6.1）;

-在仪器设备中的“取芯设备”修改为“取芯设备，可钻出直径约为15mm〜20mni且长度不小

于100mm的多晶硅样芯”［见7.1,2007年版的7a）］；

——增加了两探针或四探针电阻率测试仪（见7.6）；

——增加了测试环境（见第8章）；

在取样中"平行于硅芯钻取长180mm左右，直径为15mm〜20mm左右的样芯作样品"修改

为“平行于硅芯钻取长度不小于Joomm直径为15mm〜20mm的样芯作样品"（见9.2,2007年

版的&2）；

-样芯距多晶硅棒底部的距离由“不低于50mm”改为“不小于250mm”（见9.4,2007年版的8.4）；

-删除了“选择电阻率大于3000Q•cm碳含量小于0.2X10"无位错，晶向偏离度小于5°的

p型〈111〉高阻硅单晶切割制备成的籽晶”（见2007年版的10.1.1）；

-在区熔拉晶步骤增加了“第1次与第2次提纯完成后，每次保留一个熔区长度的尾部，第3次

开始固定区熔长度”（见11.4