GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法

中华人民共和国国家标准

UDC869.782:548

.2:543.叱

硅多晶气氛区熔磷检验方法GB4059-83

Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Zone-melting

onphos曲orusundercontrolledatmosphere

本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。

检测杂质浓度有效范围0.02一20ppbao

N型电阻率范围10一2000Q-cm.

1方法原理

1.1原理

利用硅区熔时硅中磷硼的有效分凝系数的差别及磷硼从硅中蒸发速率的差别。

1.2方法

气氛区熔法。

试样制备

2.1取样部位

除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卜头IOmm一段外均可取样(如图1)a

2，2试样尺寸

直径10一40mmo

长度70一200mmo

23试样处理

2.3.1在化学纯丙酮中洗样去油。