GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法

ICS77.040.01

H17

中华人民共和国国家标准

GB/T4059—2007

代替GB/T4059—1983

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

Polycrystallinesilicon—Examinationmethod—Zone-meltingon

phosphorusundercontrolledatmosphere

2007-09-11发布2008-02-01实施

发布

GB/T4059—2007

-1.Z-—1—

刖

本标准是对GB/T4059—1983«硅多晶气氛区熔基磷检验方法》的修订。本标准修改采用了

ASTMF1723—1996《用悬浮区熔法晶体生长和光谱学方法评价多晶硅棒的标准》。

本标准与ASTMF1723-1996的一致性程度是修改采用，其差异如下：

-删去了ASTMF1723-1996第9章“危害”，因此，使用本标准时应建立相应的安全操作规范；

-删去了ASTMF1723-1996第5章“意义和用途”、第10章10.2.3条“垂直取芯”、第15章“关键词”。

本标准与原标准相比，主要变化如下：

检测杂质浓度范围扩大为0.002ppba〜100ppba；

-采用ASTMF1723-96规定的施主杂质测量范围替代原GB/T4059—1983的测量范围；

-依据ASTMF1723-96增加了用低温红外光谱和荧光光谱分析法测量样品中的磷杂质含量的

方法；

——增加了“规范性引用文件”、“术语”、“允许差”、“计算”；

——删去了原标准中的附录A；

——将原标准中的第5章“检验条件”修订为“干扰因素”；

—将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm；

将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15mm〜20mm、长度为180mm；

——将原标准中的“检验结果尺寸”修订为10mm~15mmo

本标准自实施之日起，同时代替GB/T4059—1983O

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：峨眉半导体材料厂。

本标准主要起草人：罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB/T4059—1983O