GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

中华人民共和国国家标准

硅晶体中间隙氧含量的

红外吸收测量方法BG1557-89

Themethodofdetermininginterstitial洲CB1557--83

oxygencontentinsilicon

byinfraredabsorption

1主题内容与适用范围

木标准规定了用红外吸收测定硅晶体中间隙氧含量的方法。

本标准适用于室温电阻率大于().IQ-CM的硅晶体中氧含量的测量。测量范围为:氧的浓度从

3.5x1018at·C二3至最大固溶度。

2原理

2.1本方法是用红外光洪仪测定硅一氧键在1107c-"1(9.033411m)处的红外吸收系数来确定硅晶

体}，间隙氧的含址。凡是有该硅一氧键特征吸收带的任何晶体均可适用。

2.2木方法借助}硅单晶中氧含量与1107cm_'处红外吸收系数之间的关系。

3测t仪器

3.1双光束红外分光光度计或傅立叶变换红外光谱仪。仪器在1107cm一‘处的分辨率应小上5cmo

3.2测u样品架。

3.3低温测U装置，能使试样和参比样品维持78K的温度。

3.4干分]泛，精度0.Olmm。

3.5标准平面平晶。

4试样制备

4.1测址试样的制务

4.1.1切取的试样经双面研磨，两表面尤刀痕、划伤，试样的厚度偏差应小]-101x-。

4.1.2研磨后的试样经机械抛光或化学抛光(仲裁时应用机械抛光样品)，使两表面均呈镜uu，在

测U:部位应尤桔皮和小凹坑。

4.1.3在试样测量部位，两表面的平整度均不大f"2.Nm。

4.1.4在测量部位试样的厚度差应不大f1011m。

4.1.5氧含址大f或等f1、1017at·cm-3的试样厚度约为2mm;氧含量小]"1x1017at.cm-3

的试样厚度约为IOMM.

4.2参比样.卯」的选取与制备

4.2.1参比样品用78K空气参考法选取(见附录A)。

4.2.2参比样.钻的制备同4.1.1一4.1.4条。

4.2.3参比样品与待测试样的厚度差应小f0.5%0

中国有色金属工业总公司1989一01一28批准