GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
GB/T 26068-2018 Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
国家标准
中文简体
现行
页数：29页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-11-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
发布历史
-
2011年01月
-
2018年12月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体材料有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、广州市昆德科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司
- 起草人：
- 曹孜、孙燕、黄黎、赵而敬、徐红骞、高英、石宇、楼春兰、王昕、张雪囡、林清香、刘卓、肖宗杰
- 出版信息：
- 页数：29页 | 字数：56 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT260682018
代替/—
GBT260682010
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试
非接触微波反射光电导衰减法
Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersand
—
siliconinotsNon-contactmeasurementofhotoconductivitdeca
gpyy
bmicrowavereflectancemethod
y
2018-12-28发布2019-11-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT260682018
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4方法原理…………………2
5干扰因素…………………2
6仪器设备…………………4
7试剂………………………6
8样品………………………6
9测试步骤…………………7
10精密度……………………9
11试验报告…………………9
()…………………
附录资料性附录注入水平的修正
A10
()……………
附录资料性附录注入水平的相关探讨
B11
()…………………
附录资料性附录载流子复合寿命与温度的关系
C14
()……………
附录资料性附录少数载流子复合寿命
D17
()、…
附录资料性附录测试体复合寿命少数载流子寿命和铁含量的进一步说明
E19
()……………
附录资料性附录中的测试方法目的和精密度
FSEMIMF1535-101523
参考文献……………………24
Ⅰ
/—
GBT260682018
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准代替/—《硅
定制服务
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