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GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

GB/T 25076-2010 Monocrystalline silicon of solar cell

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 25076-2018 | 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 25076-2010
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2010-09-02
实施日期
2011-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

发布历史

文前页预览

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶-第1页
GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶-第2页
GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶-第3页

研制信息

起草单位：
有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司
起草人：
孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强
出版信息：
页数：7页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS29.045

H80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT250762010

太阳电池用硅单晶

Monocrstallinesiliconofsolarcell

y

2010-09-02发布2011-04-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT250762010

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

(//)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会SACTC203SC2归口

定制服务

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    被代替
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    GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
    被代替
    GB/T 1557
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    被代替
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    被代替
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    GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
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