GB/T 26071-2026 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片

ICS29045

CCSH.82

中华人民共和国国家标准

GB/T26071—2026

代替GB/T25076—2018GB/T26071—2018

,

太阳能电池用硅单晶及硅单晶片

Monocrystallinesiliconandwafersforsolarcells

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T26071—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替太阳能电池用硅单晶片和太阳能电池用硅

GB/T26071—2018《》GB/T25076—2018《

单晶本文件以为主整合了的内容除结构调整和编辑性改

》,GB/T26071—2018,GB/T25076—2018,

动外主要技术变化如下

,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20181);

删除了准方形硅片产品尺寸

b)“100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、

和方形硅片产品尺寸见

210.75mm”“100.75mm、125.75mm、156.75mm、210.75mm”(

年版的

20184.2.2);

增加了准方形硅片产品尺寸方形硅片产品尺寸

c)“166.00mm、182.00mm”、“182.00mm、

和矩形硅片产品尺寸见

210.00mm”(4.2.2);

删除了电学性能中晶向的要求见年版的增加了掺杂剂的要求见

d)(20185.3),(5.1);

增加了间隙氧含量要求见

e)(5.3.1);

增加了代位碳含量要求见

f)(5.3.2);

增加了晶体完整性要求见

g)(5.4);

删除了硅片晶体完整性氧含量和碳含量的要求见年版的

h)、(20185.1);

更改了几何参数要求见年版的

i)(5.5,20185.2.1);

更改了垂直度要求见年版的

j)(5.6,20185.6);

更改了准方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求见年版的

k)(5.7.1,20185.2.2);

更改了方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求见年版的

l)(5.7.2,20185.2.3);

增加了矩形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求见

m)(5.7.3);

增加了间隙氧含量的试验方法见

n)(6.6);

增加了代位碳含量的试验方法见

o)(6.7);

增加了晶体完整性的试验方法见

p)(6.8);

更改了取样要求见第章年版的

q)(7,20187.4);

更改了检验结果的判定要求见年版的

r)(7.5,20187.5);

更改了标志要求见年版的

s)(8.1,20188.1)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备与材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中环新能源科技股份有限公司隆基绿能科技股份有限公司青岛高测科技

:TCL、、

股份有限公司晶澳太阳能科技股份有限公司双良硅材料包头有限公司有色金属技术经济研究院

、、()、

有限责任公司高景太阳能股份有限公司四川永祥股份有限公司宁夏环欧新能源技术有限公司

、、、。

本文件主要起草人张雪囡李建弘刘梓暄邢旭秦潇王新社于林鑫张存江贺东江乔乐

:、、、、、、、、、、

赵存凤黄仕建李素青韩庆辉

、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订并入了

2010,2018,,GB/T25076—2018

太阳能电池用硅单晶的内容的历次版本发布情况为

《》(GB/T25076—2018:GB/T25076—2010)。

Ⅰ

GB/T26071—2026

太阳能电池用硅单晶及硅单晶片

1范围

本文件规定了太阳能电池用硅单晶简称硅单晶及硅单晶片简称硅片的牌号与分类技术

(“”)(“”)、

要求检验规则标志包装运输贮存及随行文件和订货单内容描述了相应的试验方法

、、、、、,。

本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1551

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

GB/T1558

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T11073—2007

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法

GB/T30859

太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法

GB/T30860

硅锭硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法

GB/T42907、

太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法

SJ/T11630

硅片包装和标志

YS/T28

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

准方形硅单晶片pseudosquaremononcrystallinesiliconwafer

相邻两条边长相等倒角为滚圆加工弧形形状且倒角在边长方向上的投影尺寸不小于的

,,5.0mm

硅片

。

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