YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片

ICS29.045

H82

中华人民共和国有色金属行业标准

/—

YST11672016

硅单晶腐蚀片

Monocrstallinesiliconetchedwafers

y

ㅤㅤㅤㅤ

2016-07-11发布2017-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

/—

YST11672016

硅单晶腐蚀片

1范围

、、、、、、、

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类要求试验方法检验规则以及标志包装运输贮存

()。

质量证明书和订货单或合同内容

、()

本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括区熔中子嬗变和气相掺杂制备的硅单晶研磨片经化学腐

()。、

蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片以下简称腐蚀片产品主要用于制作晶体管整

、、。

流管特大功率晶闸管光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/非本征半导体材料导电类型测试方法

GBT1550

/半导体单晶晶向测定方法

GBT1555

/计数抽样检验程序第部分按接收质量限()检索的逐批检验抽样计划

GBT2828.11AQL

/半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法

GBT6616

ㅤㅤㅤㅤ

/硅片厚度和总厚度变化测试方法

GBT6618

/硅片翘曲度非接触式测试方法

GBT6620

/硅片径向电阻率变化的测量方法

GBT11073

/硅单晶

GBT12962

/硅单晶切割片和研磨片

GBT12965

/硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GBT13387

/硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GBT13388X

/硅片直径测量方法

GBT14140

/半导体材料术语

GBT14264

/半导体材料牌号表示方法

GBT14844

/铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定、、、

GBT2050320°45°60°

角度方向

85°

/硅片切口尺寸测试方法

GBT26067

/硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GBT29505

/硅材料原生缺陷图谱

GBT30453

/硅片边缘轮廓检验方法

YST26

/硅片包装

YST28

3术语和定义

/和/53界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

GBT14264GBT304

1

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YST11672016

3.1

表面光泽度surfacelossiness

g

,

在规定的光源和接收器张角的条件下样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在

。,()。

该镜面反射方向的反射光通量之比光泽度值通常以数值表示单位是Gs光泽单位

3.2

表面反射率surfacereflectivit

y

,,

在规定的光源和接收器张角的条件下样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比

其数值通常以百分数表示。

3.3

表面腐蚀晶胞surfaceetchedunitcell

,

硅单晶片的不同晶面腐蚀速率不同腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后在硅单晶片表面形成

。、。

的图形通过显微镜能够观察硅单晶片表面腐蚀晶胞的形貌并测量腐蚀晶胞的长宽等参数

:、、。

注表面腐蚀晶胞的形貌强烈依赖于硅单晶片的晶向和掺杂剂浓度化学腐蚀液性质腐蚀工艺条件等酸腐蚀和

,。

碱腐蚀的硅单晶片表面腐蚀晶胞具有完全不同的形貌参见附录A

4牌号及分类

4.1牌号

腐蚀片的牌号表示方法参照/的规定。

GBT14844

4.2分类ㅤㅤㅤㅤ

、。

4.2.1腐蚀片按腐蚀液的种类分为酸腐蚀片碱腐蚀片两种

腐蚀片按导电类型分为型、型两种。

4.2.2NP

4.2.3腐蚀片按硅单晶的生长方法分为直拉()法和悬浮区熔()法两大类。

CZFZ

腐蚀片按直径一般分为、、、、和六

4.2.450.8mm76.2mm100mm125mm150mm200mm

ϕϕϕϕϕϕ

。。

种非标准直径由供需双方协商

5要求

5.1材料

、、、、、

腐蚀片生产用硅单晶的导电类型掺杂剂电阻率及其径向变化氧含量碳含量少数载流子寿命

及晶体完整性应符合/的规定。

GBT12962

5.2电学性能

、/。

腐蚀片的导电类型电阻率及其径向变化应符合GBT12962的规定

5.3几何参数

。,。

腐蚀片的几何参数按表的规定表中未列出的几何参数可由供需双方协商

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2

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YST11672016

表1几何参数

项目要求

直径/mm50.876.2100125150200

直径允许偏差/mm±0.4±0.5±0.5±0.3±0.3±0.2

中心点厚度/μm≥180≥180≥200≥250≥300≥500

厚度允许偏差/μm±10±10