T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
T/CASAS 003-2018 4H-SiC epilayer wafer for p-type IGBT devices
团体标准
中文(简体)
现行
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|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/CASAS 003-2018
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2018-11-20
实施日期
2018-11-20
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看,n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似,所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底,为了制造n沟道IGBT器件材料,需要使用反转型n沟道IGBT器件结构,制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比,p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单,而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底,即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料,正是该p+型漂移层,使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能
发布历史
-
2018年11月
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研制信息
- 起草单位:
- 东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
- 起草人:
- 孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:- | 开本: -
内容描述
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