适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。

适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

适用范围：本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

适用范围：本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。 本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%～1.0%（质量分数）。

适用范围：本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。

适用范围：本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

适用范围：本标准规定了锗粒的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以锗单晶或区熔锗锭为原料，经机械加工而制得的锗粒，主要为工艺品和健身护品提供镶件。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗衬底片（以下简称锗衬底片）。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

适用范围：本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。