GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

GB/T 32651-2016 Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

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基本信息

标准号

GB/T 32651-2016

相关服务

商用授权

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H82 元素半导体材料

国际标准分类号（ICS）

29.045 半导体材料

发布日期

2016-04-25

实施日期

2016-11-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

适用范围

本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。