T/ZZB 2675-2022 TVS用硅单晶研磨片

ICS29.045

CCSH82

团体标准

T/ZZB2675—2022

TVS用硅单晶研磨片

MonocrystallinesiliconaslappedwafersforTVS

2022-04-13发布2022-05-13实施

浙江省品牌建设联合会发布

T/ZZB2675—2022

目次

前言................................................................................II

1范围..............................................................................1

2规范性引用文件....................................................................1

3术语和定义........................................................................2

4产品分类..........................................................................2

5基本要求..........................................................................2

6技术要求..........................................................................2

7试验方法..........................................................................5

8检验规则..........................................................................6

9标志、包装、贮存和运输............................................................7

10订货单（或合同）内容.............................................................8

11质量承诺.........................................................................8

I

T/ZZB2675—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口。

本文件由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。

本文件主要起草单位：浙江海纳半导体有限公司。

本文件参与起草单位（排名不分先后）：浙江旭盛电子有限公司、浙江众晶电子有限公司、浙江星

宇能源科技有限公司、浙江华盛模具科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、浙江省质量合格评

定协会、开化县检验检测研究院、衢州职业技术学院。

本文件主要起草人：沈益军、肖世豪、潘金平、陈洪、饶伟星、张立安、史少礼、黄云龙、詹玉峰、

陈锋、牛小群、楼鸿飞、张超、汪新华、许琴、程富荣、苏文霞、冯小娟、梁奎、余天威。

本文件评审专家组长：金勇。

本文件由浙江省质量合格评定协会负责解释。

II

T/ZZB2675—2022

TVS用硅单晶研磨片

1范围

本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品

分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容

和质量承诺。

本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100mm、125mm、150mm的

硅单晶研磨片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计

划

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T12962硅单晶

GB/T12963—2014电子级多晶硅

GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T26068硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求

GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

1

T/ZZB2675—2022

GB/T32279硅片订货单格式输入规范

GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法

YS/T26硅片边缘轮廓检验方法

YS/T28硅片包装

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

瞬态电压抑制二极管transientvoltagesuppressor

是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏，简称TVS。

4产品分类

4.1硅片按导电类型分为N型、P型两种。

4.2硅片的掺杂剂类型分为硼（B）、磷（P）两种。

4.3硅片按表面取向可分为{100}、{111}。

5基本要求

5.1设计研发

5.1.1应具备产品全生命周期的设计能力和制程能力，包括产品设计、配方设计、生产流程设计、工

艺设计以及设备和工装设计等。

5.1.2应具备关键技术研发能力，涉及直拉单晶硅生长技术、线切割加工技术、双面研磨加工技术、

化学清洗技术研发等，包括基于PLC的温度自动控制、生长速度自动控制、转速自动控制、线速自动控

制、基于CCD的直径自动控制、以及基于红外感应的厚度自动控制等技术研发。

5.2原材料

5.2.1原材料多晶硅应满足GB/T12963—2014第4.2条中电子2级要求。

5.2.2原材料多晶硅应满足GB/T26572对限用物质限量的要求。

5.3工艺及装备

5.3.1