GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
GB/T 41325-2022 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
国家标准
中文简体
现行
页数：9页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2022-03-09
实施日期
2022-10-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
发布历史
-
2022年03月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
- 起草人：
- 孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
CCSH82
中华人民共和国国家标准
/—
GBT413252022
集成电路用低密度晶体原生凹坑
硅单晶抛光片
Lowdensitcrstaloriinateditolishedmonocrstallinesiliconwafersfor
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interatedcircuit
g
2022-03-09发布2022-10-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT413252022
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准
SACTC203
化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。
SACTC203SC2
:、、
本文件起草单位有研半导体硅材料股份公司山东有研半导体材料有限公司杭州中欣晶圆半导
、、、
体股份有限公司南
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