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T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

T/ZZB 2833-2022 High-voltage MOSFET 200 mm silicon epitaxial wafer

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/ZZB 2833-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H82 元素半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2022-12-08
实施日期
2022-12-31
发布单位/组织
-
归口单位
浙江省质量协会
适用范围
主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

发布历史

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研制信息

起草单位：
本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定。本文件主要起草单位： 浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位： 金瑞泓科技（衢州）有限公司
起草人：
本文件主要起草人： 许峰、李慎重、李刚、刘红方、 朱华英、 李方虎、 李艳玲
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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