GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T438943—2026

.

半导体晶片近边缘几何形态评价

第3部分扇形区域平整度法

:

ESFRESFDESBIR

(Q、Q、)

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—

Part3SectorareaflatnessESFRESFDESBIR

:(Q,Q,)

2026-07-02发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T438943—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体晶片近边缘几何形态评价的第部分已经发布了

GB/T43894《》3。GB/T43894

以下部分

:

第部分高度径向二阶导数法

———1:(ZDD);

第部分边缘卷曲法

———2:(ROA);

第部分扇形区域平整度法

———3:(ESFQR、ESFQD、ESBIR)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位山东有研半导体材料有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司金瑞泓微电

:、、

子嘉兴有限公司西安奕斯伟材料科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司浙江晶越半导

()、、、

体有限公司上海晶盟硅材料有限公司郑州合晶硅材料有限公司深圳中科飞测科技股份有限公司

、、、。

本文件主要起草人朱晓彤宁永铎王玥刘云霞徐新华徐国科张婉婉丁雄杰高冰顾广安

:、、、、、、、、、、

钟佑生马砚忠

、。

Ⅰ

GB/T438943—2026

.

引言

随着硅片直径的增加和线宽的不断降低对硅片几何参数的要求也在不断提高硅片的近边缘区

,。

域是影响硅片几何参数的重要因素目前大直径硅片近边缘区域的厚度平整度等形态的控制难度较

,、

大因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成

,,

品率促进技术代的升级有着重要的意义主要用于硅片及其他半导体材料晶片

,。GB/T43894。

半导体晶片近边缘几何形态评价拟由四个部分构成

GB/T43894《》。

第部分高度径向二阶导数法目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近

———1:(ZDD)。

边缘几何形态

。

第部分边缘卷曲法目的在于使用边缘卷曲方法评价半导体晶片近边缘几何

———2:(ROA)。

形态

。

第部分扇形区域平整度法目的在于获得扇形区域平整度进而

———3:(ESFQR、ESFQD、ESBIR)。

评价近边缘几何形态

。

第部分不完整区域局部平整度法目的在于获得不完整区域的

———4:(PSFQR、PSFQD、PSBIR)。

局部平整度进而评价近边缘几何形态

。

从不同测试区域采用不同计算方法实现对半导体晶片近边缘区域几何参数的量化

GB/T43894、,

评价能够有效评价并管控半导体晶片的近边缘区域几何形态本文件通过按选定半径与圆心角将半

,。

导体晶片近边缘区域划分为若干扇形区域计算不同基准面的平整度实现对半导体晶片近边缘几何形

,,

态的量化评价本文件在制定过程中融入了行业多年来测试校准经验其发布实施对发展我国大直

。、,

径高质量半导体硅片产业具有十分重要的意义

、。

Ⅱ

GB/T438943—2026

.

半导体晶片近边缘几何形态评价

第3部分扇形区域平整度法

:

ESFRESFDESBIR

(Q、Q、)

1范围

本文件描述了用扇形区域平整度评价半导体晶片近边缘几何形态的

(ESFQR、ESFQD、ESBIR)

方法

。

本文件适用于直径硅抛光片硅外延片绝缘体上硅片也适用于其他带有表面层

300mm、、(SOI),

的硅片或半导体材料圆形晶片

。

注直径硅片参考本文件

:200mm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264—2024

确定晶片坐标系规范

GB/T16596

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

硅片字母数字标志规范

GB/T34479

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264—2024。

31

.

近边缘扇形区域平整度near-edgewafersectorflatnessESFQRESFQDESBIR

;、、

将晶片近边缘环形区域分割成N个扇形区域其若干个扇形区域中总指示读数或焦平面偏

,(TIR)

差的最大值

(FPD)。

注由于选择的基准面不同分别用或描述晶片近边缘的形态

:,ESFQR、ESFQDESBIR。

来源

[:GB/T14264—2024,3.189.7]

4方法原理

按选定半径与圆心角将半导体晶片以下简称晶片近边缘区域划分为若干扇形通过几何参数

(“”),

测试设备获取指定位置与径向长度的环形区域内厚度数据阵列根据各扇形区域内的厚度数据阵

。

列构建该区域的基准面计算实测数据与基准面之间的偏差根据不同的计算方法评价扇形区域平整

,,,

度进而评价晶片近边缘几何形态按照计算方法的不同分为和

,。,ESFQR、ESFQDESBIR。

注为每个扇形区域内实测数据与基准面偏差的极差为每个扇形区域内实测数据与基准面偏差

:ESFQR;ESFQD

的最大绝对值保留原始偏差符号为每个扇形区域内实测数据的极差

,;ESBIR。

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