GB/T 47901-2026 激光器外延芯片用砷化镓衬底

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T47901—2026

激光器外延芯片用砷化镓衬底

Galliumarsenidesubstratesforlaserepitaxialchips

2026-07-02发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47901—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位广东先导微电子科技有限公司全磊光电股份有限公司云南鑫耀半导体材料有

:、、

限公司中国电子科技集团公司第十三研究所山东华光光电子股份有限公司北京大学东莞光电研究

、、、

院厦门银科启瑞半导体科技有限公司广东晶智光电科技有限公司桂林光隆科技集团股份有限公司

、、、。

本文件主要起草人王金灵周铁军刘留单智发吴春龙惠峰孙聂枫马金峰吴德华刘强

:、、、、、、、、、、

王玉狄聚青陈春明郑兆河

、、、。

Ⅰ

GB/T47901—2026

激光器外延芯片用砷化镓衬底

1范围

本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号技术要求试验方法检验规则标志和

,,,,

随行文件包装运输和贮存以及订货单内容

,、,。

本文件适用于传感器光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底以下简称衬底片的生产

、(“”)、

检验与质量评价

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T8760

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

半导体晶片直径测试方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

硅片切口尺寸测试方法

GB/T26067

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T29505

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4分类和牌号

41分类

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411衬底片按导电类别分为型衬底片型衬底片和半绝缘型衬底片三类

..:n、p。

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