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GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 8760-2006 Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 8760-2020 | 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 8760-2006
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H17 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类号（ICS）
77.040.01 金属材料试验综合
发布日期
2006-07-18
实施日期
2006-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国有色金属标准化技术委员会
适用范围
本标准适用于位错密度为（0～100000）个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

发布历史

文前页预览

GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法-第1页
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法-第2页
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法-第3页

研制信息

起草单位：
北京有色金属研究总院
起草人：
王彤涵
出版信息：
页数：7页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

内容描述

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