GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 8760-2006 Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density

国家标准中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 8760-2020 | 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 8760-2006

标准类型

国家标准

标准状态

被代替

中国标准分类号（CCS）

H17 半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号（ICS）

77.040.01 金属材料试验综合

发布日期

2006-07-18

实施日期

2006-11-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国有色金属标准化技术委员会

适用范围

本标准适用于位错密度为（0～100000）个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

发布历史

1988年02月

GB/T 8760-1988　砷化镓单晶位错密度的测量方法

被代替 1988-02-25
2006年07月

GB/T 8760-2006　砷化镓单晶位错密度的测量方法

当前标准被代替 2006-07-18
2020年09月

GB/T 8760-2020　砷化镓单晶位错密度的测试方法

现行 2020-09-29

文前页预览

研制信息

起草单位：: 北京有色金属研究总院

起草人：: 王彤涵

出版信息：: 页数：7页 | 字数：10 千字 | 开本：大16开

内容描述

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GB/T 8760-1988

GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法

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