适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

适用范围：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

适用范围：本文件描述了一种REBCO带材室温拉伸试验方法及其试验步骤。本文件所描述的试验方法适用于测量弹性模量和0.2%规定塑性延伸强度。弹性极限、断裂强度、断后伸长率数据仅作参考。 本文件适用于测试横截面积为0.12 mm2～6.0 mm2的矩形横截面样品（对应宽度在2.0 mm～12.0 mm、厚度在0.06 mm～0.5 mm之间的超导带材）。

适用范围：本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

适用范围：范围:本文件规定了钐钴基合金数据的术语和定义、一般要求、材料样品元数据、科技资源标识、表征源数据等。 本文件适用于面向机器学习和数据挖掘等应用的收集、整理与储存钐钴基合金数据的科学研究、教学以及应用; 主要技术内容:本文件规定了钐钴基合金数据的术语和定义、一般要求、材料样品元数据、科技资源标识、表征源数据等。本文件适用于面向机器学习和数据挖掘等应用的收集、整理与储存钐钴基合金数据的科学研究、教学以及应用

适用范围：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片

适用范围：范围:本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测; 主要技术内容:本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录

适用范围：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

适用范围：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。

适用范围：本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。

适用范围：本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了变压器用铜带、铜箔的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容等。本标准适用于变压器线圈用铜带、铜箔

适用范围：主要技术内容:本标准规定了变压器用铜带、铜箔的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容等。本标准适用于变压器线圈用铜带、铜箔

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了旋转硅靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、外观质量、内部缺陷、旋转硅靶晶型、搭接率、表面质量和衬管材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、外观质量、内部缺陷、晶体形态、晶粒大小、搭接率、圆度和同轴度的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定

适用范围：主要技术内容:本文件规定了大尺寸环形硅锗靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率、平面度和背板材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定