T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
T/IAWBS 016-2022 Carbon-doped silicon monocrystal X-ray double crystal waver curve half-width testing method
基本信息
发布历史
-
2022年03月
研制信息
- 起草单位:
- 国宏中宇科技发展有限公司、 中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、 中科钢研节能科技有限公司、 北京天科合达半导体股份有限公司、 中国科学院物理研 究所、 北京三平泰克科技有限责任公司、 北京聚睿众邦科技有限公司、 芜湖启迪半导体有 限公司、 中国科学院半导体研究所
- 起草人:
- 刘素娟、 鲍慧强、 李龙远、 王锡铭、 赵然、 赵子强、 刘春俊、 闫 方亮、 郑红军、 王文军、 钮应喜、 刘兴昉、 刘祎晨
- 出版信息:
- 页数:9页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
ICS29.045
H80/84
团体标准
T/IAWBS016-2022
碳化硅单晶片X射线双晶摇
摆曲线半高宽测试方法
TestMethodforFullWidthatHalfMaximum
ofDoubleCrystalX-rayRockingCurveof
SiliconCarbideWafers
2022-03-17发布2022-03-24实施
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBS016—2022
目次
前言....................................................................................................................................................II
1范围..................................................................................................................................................1
2规范性引用文件..............................................................................................................................1
3术语和定义......................................................................................................................................1
4测试原理..........................................................................................................................................1
4.1晶体X射线衍射原理............................................................................................................1
4.2摇摆曲线测试原理.................................................................................................................2
4.3晶体摇摆曲线半高宽............................................................................................................2
5测试仪器..........................................................................................................................................2
5.1光路配置.................................................................................................................................2
5.2样品台.....................................................................................................................................2
5.3仪器校准.................................................................................................................................3
6干扰因素..........................................................................................................................................3
7测试环境..........................................................................................................................................3
8测试样品..........................................................................................................................................3
9测试程序..........................................................................................................................................3
9.1放置样品.................................................................................................................................3
9.2确定布拉格角.........................................................................................................................3
9.3调整样品............................................................................................
定制服务
推荐标准
- GB/T 6149-1985 新康铜电阻合金 1985-06-21
- GB/T 6150.15-1985 钨精矿化学分析方法 DDTC-Ag光度法测定砷量 1985-06-21
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- GB/T 6150.10-1985 钨精矿化学分析方法 硫氰酸盐光度法测定钼量 1985-06-21
- GB/T 6150.16-1985 钨精矿化学分析方法 原子吸收分光光度法测定锰量 1985-06-21
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- GB/T 6150.12-1985 钨精矿化学分析方法 盐酸-氯化钠底液极谱法测定铅量 1985-06-21
- GB/T 6150.13-1985 钨精矿化学分析方法 氢氧化铵-氯化铵底液极谱法测定锌量 1985-06-21
- GB/T 6150.11-1985 钨精矿化学分析方法 原子吸收分光光度法测定铜量 1985-06-21