国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译:T/SHMHZQ 030-2021 Stairway platform door rail potential limit device specification适用范围:范围:规定了地铁站台门钢轨电位限制装置(以下简称“装置”)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存。 本文件适用于本公司生产的地铁站台门钢轨电位限制装置器; 主要技术内容:4 结构5 技术要求5.1 环境基准条件5.2 正常工作条件5.3 贮存、运输极限环境温度5.4 周围环境5.5 电气技术参数5.6 基本功能5.7 保护技术性能5.8 绝缘强度5.9 环境试验要求5.10 直流电源变化影响5.11 电磁兼容性能5.12 机械性能5.13 连续通电5.14 结构和外观6 试验方法6.1 基本功能试验6.2 基本性能试验6.3 功率消耗试验6.4 绝缘性能试验6.5 温度贮存试验6.6 环境性能试验6.7 电源影响试验6.8 脉冲群抗扰度试验6.9 静电放电抗扰度试验6.10 射频电磁场辐射抗扰度试验6.11 快速瞬变脉冲群抗扰度试验6.12 浪涌(冲击)抗扰度试验6.13 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验6.14 工频磁场抗扰度试验6.15 脉冲磁场抗扰度试验6.16 阻尼振荡磁场抗扰度试验6.17 机械性能试验6.18 连续通电试验6.19 结构和外观检查6.20 低气压试验7 检验规则7.1 检验分类7.2 出厂检验7.3 型式检验8 包装、运输和贮存【国际标准分类号(ICS)】 :29.280电力牵引设备 【中国标准分类号(CCS)】 :H52铁道用钢发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-10-19 | 实施时间: 2021-10-19收藏 -
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译:GB/T 40561-2021 Photovoltaic silicon material—Determination of oxygen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method适用范围:本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。 本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定,测定范围为氧的质量分数0.0010%~0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2021-10-11 | 实施时间: 2022-05-01收藏 -
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译:GB/T 40566-2021 Granular polysilicon produced by fluidized bed method—Determination of hydrogen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method适用范围:本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。 本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定,其他硅材料参照使用。 注: 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程,最大测定范围为氢量0.000 08 mg~2.5 mg。以质量分数(%)表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如,1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%~0.25%;0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%~1.66%。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2021-10-11 | 实施时间: 2022-05-01收藏 -
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译:T/JSAS 015-2021 Monocrystalline silicon solar cell panel适用范围:范围:本文件规定了单晶硅太阳能电池片(以下简称电池片)等级划分、类别及型号命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于以单晶硅片为主要原材料的地面用单晶硅太阳能电池片; 主要技术内容:7 要求7.1 电池片尺寸电池片的尺寸要求见表2。7.2 外观7.2.1 电池片正面外观应栅线图形完整、清晰,不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象,保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。7.2.2 电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求,电极应无虚印,无铝珠,无铝刺,无脱落,浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。7.3 机械性能7.3.1 翘曲度一般情况下,电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量,见表4。7.3.2 电极与焊点拉力强度电极附着应牢固,焊接后,电极与焊点应结合牢固,检测方法应符合GB/T 29195规定,测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。7.3.3 电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。7.4 电性能7.4.1 电性能参数电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。7.4.2 双面电池片双面率多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。7.4.3 电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。7.5 电池片EL特性7.5.1 电池片EL特性测试,其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。7.5.2 电池片EL特性测试,晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。7.5.3 电池片EL特性测试,其他缺陷要求见表6。7.6 可靠性7.6.1 耐候可靠性按照IEC 61215-2,156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环,湿热循环,湿冻循环后无因电池片引起的不良,电性能衰减≤2%;210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环,湿热循环,热斑反向测试,动载及静载测试后无因电池片引起的不良,电性能衰减≤2%,扩展到TC400,DH2000h,衰减≤3%。7.6.2 抗 PI【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-09-25 | 实施时间: 2021-09-25收藏 -
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译:T/IAWBS 014-2021 The method for testing the dislocation density of silicon carbide single crystal polished wafers适用范围:范围:本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试; 主要技术内容:随着科技的发展和进步,第三代半导体材料碳化硅(SiC)取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件,并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步,碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低系统成本方面的优势,将被广泛应用在5G通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域。由于SiC本身的结构特点,在使用SiC形成衬底的过程中,以各种位错(包括刃位错、螺位错及基平面位错)为代表的微观缺陷都会急剧增加,从而大大降低衬底的质量。因此,测试碳化硅单晶抛光片的位错密度对改进衬底质量及器件性能具有重要的意义【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-09-15 | 实施时间: 2021-09-22收藏 -
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译:T/IAWBS 015-2021 The testing method for half-width of X-ray double-crystal waviness of gallium oxide monocrystalline wafers适用范围:范围:本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶; 主要技术内容:氧化镓(Ga2O3)因其具有4.9 eV超宽带隙,且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点,在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底,对提高外延薄膜的质量,降低位错密度,提高器件效率,延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量,而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点,是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法,编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估,对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H20/29金属理化性能试验方法发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-09-15 | 实施时间: 2021-09-22收藏 -
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译:T/ZZB 2332-2021 Laser-diode-emitting using sapphire polishing substrate适用范围:主要技术内容:本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片(以下简称蓝宝石衬底片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。本文件适用于氮化镓基发光二极管(LED)外延生长的,直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-08-30 | 实施时间: 2021-09-30收藏 -
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译:T/CSTM 00364-2021 Composite metal strip material for conductive bonding of lithium-ion battery适用范围:范围:本文件规定了锂离子电池导电连接用复合金属带材的术语和定义、分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、质量证明书、包装、运输、贮存等。 本文件适用于制备锂离子动力电池或高倍率电池的导电连接片、软包电池正负极极耳、圆柱电池负极极耳、方型电池盖板铜铝过渡连接片等所需的复合金属带材; 主要技术内容:本文件规定了锂离子电池导电连接用复合金属带材的术语和定义、分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、质量证明书、包装、运输、贮存等。本文件适用于制备锂离子动力电池或高倍率电池的导电连接片、软包电池正负极极耳、圆柱电池负极极耳、方型电池盖板铜铝过渡连接片等所需的复合金属带材【国际标准分类号(ICS)】 :29.050导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H冶金发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-08-27 | 实施时间: 2021-11-27收藏 -
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译:T/ICMTIA SM006-2021 300mm P/P-type silicon epitaxial wafers for logic processes with an integrated circuit linewidth of 65nm-14nm【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-05-31 | 实施时间: 2021-07-30收藏 -
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译:GB/T 20228-2021 Gallium arsenide single crystal适用范围:本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2021-05-21 | 实施时间: 2021-12-01收藏 -
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译:T/SPSTS 017-2021 Composite metal strips for conductive connections of lithium-ion batteries适用范围:范围:本文件规定了锂离子电池导电连接用复合金属带材的术语和定义、分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、质量证明书、包装、运输、贮存等。 本文件适用于制备锂离子动力电池或高倍率电池的导电连接片、软包电池正负极极耳、圆柱电池负极极耳、方型电池盖板铜铝过渡连接片等所需的复合金属带材; 主要技术内容:1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 分类与命名5 技术要求6 试验方法7 检验规则8 标志、质量证明书9 包装、运输、贮存【国际标准分类号(ICS)】 :29.050导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H60/69有色金属及其合金产品发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-04-16 | 实施时间: 2021-06-01收藏 -
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译:YB/T 4806-2020 Management Specification for Electricity Demand Side Management Platform in the Iron and Steel Industry适用范围:本标准规定了钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的总则、管理职责、平台业务管理、平台运行维护等内容。 本标准适用于钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的运行管理。【国际标准分类号(ICS)】 :29.020电气工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H01技术管理发布单位或类别:(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏 -
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译:YB/T 4805-2020 Steel industry demand-side management platform technical specification适用范围:本标准规定了钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的术语和定义、基本原则、功能规范、接口规范、设计规范、安全防护规范等。 本标准适用于钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的设计、开发、建设及运维。【国际标准分类号(ICS)】 :29.020电气工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H01技术管理发布单位或类别:(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏 -
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译:T/CEEIA 465-2020 The method for measuring the softening temperature of micro-fine copper and copper alloy materials适用范围:范围:本标准规定了测试铜及铜合金微细材软化温度测定方法的术语和定义、方法原理、仪器设备、试样、试验步骤和试验报告等内容。 本标准适用于在实验室环境下对铜及铜合金微细材进行软化温度的测量; 主要技术内容:本标准规定了测试铜及铜合金微细材软化温度测定方法的术语和定义、方法原理、仪器设备、试样、试验步骤和试验报告等内容。本标准适用于在实验室环境下对铜及铜合金微细材进行软化温度的测量【国际标准分类号(ICS)】 :29.020电气工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H62重金属及其合金发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-12-01 | 实施时间: 2020-12-01收藏 -
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译:T/CEEIA 464-2020 Copper-silver alloy micro-wire for electric cables适用范围:范围:本标准规定了电子线缆用铜银合金微细线材的分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。 本标准适用于电子线缆用铜银合金微细线材; 主要技术内容:本标准规定了电子线缆用铜银合金微细线材的分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。本标准适用于电子线缆用铜银合金微细线材【国际标准分类号(ICS)】 :29.060.01电线和电缆综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H60/69有色金属及其合金产品发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-12-01 | 实施时间: 2020-12-01收藏 -
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译:GB/T 11094-2020 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method适用范围:本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2020-09-29 | 实施时间: 2021-08-01收藏 -
现行
译:T/CEC 353-2020 Transmission tower high-strength steel processing technical specification适用范围:主要技术内容:本标准规定了输电铁塔及变电构支架用最小上屈服强度在400MPa~500MPa范围内的低合金钢制零件与构件的材料、技术要求、质量检验和技术文件等方面的内容。本标准适用于输电线路角钢塔、钢管塔、钢管杆、变电构支架等高强钢零件与构件在制造过程中的冷加工、热加工及焊接工作。其他塔桅结构用高强钢的加工可参照执行【国际标准分类号(ICS)】 :29.240.99其他有关输电网和配电网的设备 【中国标准分类号(CCS)】 :H40/59钢铁产品发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-06-30 | 实施时间: 2020-10-01收藏 -
现行
译:T/CEEIA 431-2020 Aluminum-clad heat-resistant aluminum-silicon alloy stranded wire适用范围:范围:本标准规定了铝包殷钢芯耐热铝合金绞线(以下简称绞线)的产品型号、要求、试验方法和检验规则、包装和标识、运输和贮存。 本标准适用于架空输电线路用铝包殷钢芯耐热铝合金绞线的设计、生产和验收; 主要技术内容:本标准的主要技术参数参照国家标准GB/T 1179-2017《圆线同心绞架空导线》和GB/T 20141-2018《型线同心绞架空导线》,并结合当前铝包殷钢芯耐热铝合金绞线的实际情况进行起草。铝包殷钢芯耐热铝合金绞线通过耐热铝合金线和铝包殷钢芯组合实现同截面钢芯铝绞线的输送容量增加一倍而弧垂无较大变化,在国内外的架空输电线增容改造工程中得到广泛应用。目前,未查阅到国内外相关技术规范,对铝包殷钢芯耐热铝合金绞线的制造或采购带来一定制约。团体标准《铝包殷钢芯耐热铝合金绞线》的制定将有效指导国内企业研制和生产该类产品,也为用户采购和验收提供重要依据,同时也将有利于规范和引领该类产品在架空输电线领域的应用和发展【国际标准分类号(ICS)】 :29.060.10电线 【中国标准分类号(CCS)】 :H60/69有色金属及其合金产品发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-04-20 | 实施时间: 2020-04-20收藏 -
废止
译:T/ZSA 72-2019 Silicon carbide single crystal适用范围:范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶; 主要技术内容:碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后,在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性,在高温、高压、高频、高功率等电子应用领域和航天、军工、强辐射场等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅材料已成为全球半导体产业的前沿和制高点,随着碳化硅产业的发展,产业链分工细化是必然的趋势, 会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家,碳化硅单晶会单独交易,因此有必要单独制定碳化硅单晶标准【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2019-12-31 | 实施时间: 2020-03-01收藏 -
现行
译:T/IAWBS 012-2019 Surface quality and microsphere density testing method for silicon carbide single crystal polished wafers - Confocal differential interference optical method适用范围:范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片,抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm,厚度为300 μm~1000 μm; 主要技术内容:碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表,碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及,对碳化硅抛光片的质量提出更高要求,高品质的呼声越发高涨。因此,快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷,准确统计各类缺陷的数量和分布,是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段,确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制,对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2019-12-27 | 实施时间: 2019-12-31收藏
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