GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
GB/T 11094-2020 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
国家标准
中文简体
现行
页数:11页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2020-09-29
实施日期
2021-08-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
发布历史
-
1989年03月
-
2007年09月
-
2020年09月
研制信息
- 起草单位:
- 有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
- 起草人:
- 于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱刘、周铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍
- 出版信息:
- 页数:11页 | 字数:20 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29.045
H83
中华人民共和国国家标准
/—
GBT110942020
代替/—
GBT110942007
水平法砷化镓单晶及切割片
Galliumarsenidesinlecrstalandcuttinwaferrownbhorizontal
gyggy
bridmanmethod
g
2020-09-29发布2021-08-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT110942020
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
/—《》。/—,
本标准代替GBT110942007水平法砷化镓单晶及切割片与GBT110942007相比除编
,:
辑性修改外主要技术变化如下
———();
删除了范围中的单晶锭及微波器件见年版的第章
20071
———,/、/(,
删除了规范性引用文件中的增加了见第章年
GJB1927GBT13388GBT1484422007
版的第章);
2
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删除了术语和定义中的见年版的第章
3.1~3.820073
———(,);
修改了产品的牌号表示方法及分类见第章
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