GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

ICS29．045

H83

瘩亘

中华人民共和国国家标准

11

GB／T

11094--1989

代替GB／T

水平法砷化镓单晶及切割片

Horizontalarsenideandwafer

bridgmangrowngalliumsinglecrystalcutting

2007-09-1

1发布2008-02-0

1实施

丰瞀熊鬻瓣警糌瞥霎发布中国国家标准化管理委员会及111

11094--2007

GB／T

刖吾

11094

本标准是对GB／T1989《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。

本标准与原标准相比，主要变动如下：

<loo>A方向偏转o。～20。生长单晶，明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定；

——明确了晶锭作为单晶产品；

——切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为蛆omm、≠50mm以及矩形和D形片的规定；

mm

——增加了目前大量使用的直径≠50．8mm、≠63．5mm切割片和国际上少量使用的直径≠76

切割片的规定等等。

本标准实施之日代替GB／T11094—1989。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：北京有色金属研究总院。

本标准主要起草人：武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

11094—1989．

——GB／T

GB／T

水平法砷化镓单晶及切割片

1范围

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。

本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件

等的制作。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB／T1555半导体单晶晶向测定方法

GB／T2828．1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB／T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB／T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB／T14264半导体材料术语

GJB

1927砷化镓单晶材料测试方法

3术语、定义

GB／T14264确立的以及下列术语和标准适用于本标准。

3．1

水平法horizontal

bridgmangrown

本标准中特指水平布里奇曼法，简写为：HB。

3．2

crystal

单晶single

本标准中出现的单晶专指水平布里奇曼法砷化镓单晶。

3．3

晶锭ingot

本标准中出现的晶锭专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶锭。

3．4

晶片wafer

本标准中出现的晶片专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶片。

3．5

wafer

切割片cutting

本标准中出现的切割片专指水平法砷化镓单晶切割片。

3．6

level

基准面base

为了检验晶锭而在单晶晶锭两端或一端切出的与切割片晶面一致的晶面。

1

11

GB／T094--2007

3．7

referencelevel

基准参考面absolute

指为了在后续的切片中便于单晶加工和在割圆作主、次参考面时参考的在单晶晶锭左右两侧或上

下两侧切出的面。

3．8

disc

割圆片cutting

单晶加工中，将切割后的D形片割成一定直径的圆片，称之为割圆片。

4要求

4．1产品分类

产品按导电类型分为n型和P型；按电阻率分为低阻导电型和半绝缘型。

4．2牌号

4．2．1单晶、单晶锭和切割片的牌号表示如下，各部分中，不影响产品识别的部分可省略：

{I．．．．．．．．．．．．．．．．．一CW表示切割片，不加表示是单晶或单晶锭

1．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．一元素符号表示掺杂剂，有两个以上

杂剂中间用+相连，如无特意掺杂

时则用“纯”表示不掺杂；

HBGaAs表示水平法砷化镓。

示例1：HBGa