T/NXCL 29-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片
T/NXCL 29-2024 300 mm low oxygen content polished single crystal monocrystalline silicon
团体标准
中文(简体)
现行
页数:0页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/NXCL 29-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2024-02-06
实施日期
2024-02-06
发布单位/组织
-
归口单位
宁夏材料研究学会
适用范围
范围:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片;
主要技术内容:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片
发布历史
-
2024年02月
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研制信息
- 起草单位:
- 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
- 起草人:
- 王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:- | 开本: -
内容描述
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