适用范围：范围:本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片; 主要技术内容:近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。?与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义

适用范围：范围:本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。 本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。 本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/到3000Ω/的范围; 主要技术内容:碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定， 将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片; 主要技术内容:随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷

适用范围：范围:本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。 本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底; 主要技术内容:SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用

适用范围：主要技术内容:本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池

适用范围：主要技术内容:本标准规定了一次颗粒状镍钴铝酸锂正极材料的技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等内容。本标准适用于锂离子电池用一次颗粒状镍钴铝酸锂产品

适用范围：主要技术内容:本标准规定了一次颗粒状镍钴锰酸锂正极材料的技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等内容。本标准适用于锂离子电池用一次颗粒状镍钴锰酸锂产品

适用范围：范围:本标准规定了采用高压供电上船方式下岸电电源装置的技术要求。 本标准适用于高压供电上船的岸电电源装置; 主要技术内容:本标准规定了采用高压供电上船方式下岸电电源装置的技术要求。本标准适用于高压供电上船的岸电电源装置

适用范围：本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

适用范围：本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

适用范围：本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm～200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。

适用范围：本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

适用范围：本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

适用范围：本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件，以及微波与电力电子功率器件。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

适用范围：本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷，给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。

适用范围：范围:本标准规定了363 kV 及以上电压等级气体绝缘金属封闭开关（以下简称 GIS）设备开展 VFTO现场耐压试验的一般要求、试验电压波形、试验设备、试验电压值、耐压试验和试验判据。 本标准适用于1 000 m 以上高海拔地区，全部或部分采用气体绝缘金属封闭开关设备。 363 kV 以下电压等级的 GIS 设备可参考本标准。其它地区可参考使用; 主要技术内容:本标准规定了363 kV 及以上电压等级气体绝缘金属封闭开关（以下简称 GIS）设备开展 VFTO现场耐压试验的一般要求、试验电压波形、试验设备、试验电压值、耐压试验和试验判据。本标准适用于1 000 m 以上高海拔地区，全部或部分采用气体绝缘金属封闭开关设备。363 kV 以下电压等级的 GIS 设备可参考本标准。其它地区可参考使用

适用范围：范围:本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件; 主要技术内容:本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为：a) 正晶向：0° ± 0.5°; b) 偏晶向：碳化硅抛光片的晶向偏离为晶片表面法线沿主定位边方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同时本标准还规定了表面缺陷、微管密度、结晶质量、电阻率、多型、位错密度等内容