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T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅单晶抛光片

T/IAWBS 005-2018 6-inch silicon carbide single crystal polished wafer

团体标准 中文(简体) 废止 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/IAWBS 005-2018
标准类型
团体标准
标准状态
废止
中国标准分类号（CCS）
H83 化合物半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2018-12-06
实施日期
2018-12-17
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
范围:本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件; 主要技术内容:本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为<0001>碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为：a) 正晶向：0° ± 0.5°; b) 偏晶向：碳化硅抛光片的晶向偏离为晶片表面法线沿主定位边方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同时本标准还规定了表面缺陷、微管密度、结晶质量、电阻率、多型、位错密度等内容

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研制信息

起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物 理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团 公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成 电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公司
起草人：
陆敏、彭同华、郑红军、佘宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、 钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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