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GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

GB/T 37051-2018 Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

国家标准 中文简体 现行 页数：9页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 37051-2018
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-04-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

发布历史

文前页预览

GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法-第1页
GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法-第2页
GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法-第3页
GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法-第4页

研制信息

起草单位：
英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司
起草人：
李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏
出版信息：
页数：9页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS29.045

H80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT370512018

、

太阳能级多晶硅锭硅片晶体

缺陷密度测定方法

Testmethodfordeterminationofcrstaldefectdensitin

yy

PVsiliconinotandwafer

g

2018-12-28发布2019-04-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT370512018

目次

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3方法概要…………………1

4试剂和材料………………1

5仪器和设备………………2

6试样制备…………………2

7测试步骤…………………2

8数据处理…………………4

9精密度……………………5

10干扰因素…………………5

11报告………………………6

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