GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
GB/T 37051-2018 Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
国家标准
中文简体
现行
页数：9页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-04-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。
发布历史
-
2018年12月
研制信息
- 起草单位：
- 英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司
- 起草人：
- 李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT370512018
、
太阳能级多晶硅锭硅片晶体
缺陷密度测定方法
Testmethodfordeterminationofcrstaldefectdensitin
yy
PVsiliconinotandwafer
g
2018-12-28发布2019-04-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT370512018
目次
前言…………………………Ⅰ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3方法概要…………………1
4试剂和材料………………1
5仪器和设备………………2
6试样制备…………………2
7测试步骤…………………2
8数据处理…………………4
9精密度……………………5
10干扰因素…………………5
11报告………………………6
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